CCDに届いた光子のうちシリコンのバンドギャップ(1.12eV、1100nm)に以上のエネルギーを持つ子は半導体中の非伝導帯に束縛された電子にエネルギーを渡して自由電子にするよ。自由電子はピクセルのなかに滞留して露光が終わると読み出しアンプまで運ばれてくよ。
MOSセンサの場合はそれぞれのピスセルにコンデンサが実装してあってその電圧を読むことで光量を測るらしいよね。
CCDに届いた光子のうちシリコンのバンドギャップ(1.12eV、1100nm)に以上のエネルギーを持つ子は半導体中の非伝導帯に束縛された電子にエネルギーを渡して自由電子にするよ。自由電子はピクセルのなかに滞留して露光が終わると読み出しアンプまで運ばれてくよ。
MOSセンサの場合はそれぞれのピスセルにコンデンサが実装してあってその電圧を読むことで光量を測るらしいよね。